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深圳市天玖隆科技有限公司
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产品信息
FTUO1N60/CS1N60,硅N沟道增强型VDMOSFETs自对准的平面技术,是通过以下方式获得从而降低导通损耗,提高开关性能和增强的雪崩能量。晶体管可以用在各种电源系统的开关电路,用于小型化和更高的效率。封装形式为TO-252,符合RoHS标准.
该芯片应用:
快速切换
低导通电阻(导通电阻≤15Ω)
低栅极电荷(典型数据:5.0nC)
低反向传输电容(典型:2.7pF)
100%的单脉冲雪崩能量测试
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客服:柯
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